區(qū)分通用型與達林頓型光耦合器的兩個方法
超毅電子告訴你通用型光耦與達林頓光耦的如何正確區(qū)分,具體表現在2個方面,大家可以自己動手測試,很容易就可以區(qū)分開來。
方法之一
通用型與達林頓型光耦合器的主要區(qū)別是接收管的電流放大系數不同。前者的hFE為幾十倍至幾百倍,后者可達數千倍,二者相差1~2個數量級。因此,只要準確測量出hFE值,即可加以區(qū)分。在測量時應注意事項:
(1)因為達林頓型光耦合器的hFE值很高,所以表針兩次偏轉格數非常接近。準確讀出n1、 n2的格數是本方法關鍵所在,否則將引起較大的誤差。此外,歐姆零點亦應事先調準。
(2)若4N30中的發(fā)射管損壞,但接收管未發(fā)現故障,則可代替超β管使用。同理,倘若4N35中的接收管完好無損,也可作普通硅NPN晶體管使用,實現廢物利用。
(3)對于無基極引線的通用型及達林頓型光耦合器,本方法不再適用。建議采用測電流傳輸比CTR的方法加以區(qū)分。
方法之二 在通用型光耦合器中,接收器是一只硅光電半導體管,因此在B-E之間只有一個硅PN結。達林頓型不然,它由復合管構成,兩個硅PN結串聯(lián)成復合管的發(fā)射結。根據上述差別,很容易將通用型與達林頓型光耦合器區(qū)分開來。具體方法是,將萬用表撥至R×100檔,黑表筆接B極,紅表筆接E極,采用讀取電壓法求出發(fā)射結正向電壓VBE。若VBE=0.55~0.7V,就是達林頓型光耦合器。 實例:用500型萬用表的R×100檔分別測量4N35、4N30型光耦合器的VBE,測量數據及結論一并列入表2中。 表2測試結果 型號 RBE(Ω) n`(格) VBE(V) 計算公式 測試結論 4N35 850 23 0.69 VBE=0.03n(V) 通用型 4N30 4.3k 40.5 1.215 VBE=0.03n`(V) 達林頓型
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